ダブルBBOクリスタルポッケルスセル

BBOベースのポッケルスセルは、電圧がBBO 電気光学コンポーネントの 電極に印加されたときに通過する光の偏光状態を変更するために使用され ます 。典型的な用途には、レーザキャビティのQ-スイッチング、レーザキャビティのダンピング、及び再生増幅器への及び再生増幅器からの光の結合が含まれる。低圧電リンギングは、BBOポッケルスセルを高出力および高繰返しレートレーザの制御に魅力的にします。 Qスイッチ 、キャビティ・ダンピング、およびその他のアプリケーションで は、セルに適切に適合したファスト・スイッチング・エレクトロニクス・ドライバを使用でき ます。

ダブルBBOクリスタルポッケルスセルは、横電界デバイスです。 4分の1波電圧は、電極間隔と結晶長の比に比例するので、より小さい開口部、低い方形波電圧、さらには4分の1波長の電圧を有する二重結晶設計が、高速スイッチング時間を有するウェーブモード。 CPDBQS-0404020は2つのBBOクリスタルシリーズ設計を持っているので、4分の1波電圧は2500 Vで、半波電圧は5000 Vです。ダブルクリスタルデザインは電気光学と ポッケルスセルモジュレータの 多くの用途を広げることができます 。

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